MOSFET

用于各種應用的廣泛的低、中、高壓和雙MOSFET產品組合。

功率模塊
先進的電源模塊, 包括 IGBT, MOSFET, SiC, Si/SiC 混合模塊, 二極管, SiC 二極管, 和智能功率模塊 (IPM).

碳化硅 (SiC)
支持寬禁帶電源設計的完整元器件生態系統，包括SiC二極管、SiC MOSFET和SiC模塊。

保護MOSFET
各種低側和高側智能分立保護器件，提供同類最佳的浪涌電流管理。

整流器
標準和快恢復整流器，提供低功率損耗和高能效的理想性能特性。

肖特基二極管和肖特基整流器
低損耗和高電流肖特基整流器和二極管，非常適合用作整流器、逆變器和二極管。

音頻晶體管
用于高功率音頻電路應用的音頻晶體管。

達林頓晶體管
用于通用放大器和低速開關應用的達林頓晶體管和晶體管對。

ESD保護二極管
專門設計用于提供 ESD 和浪涌保護的保護二極管和陣列。

通用的低VCE(sat)晶體管
寬廣陣容的雙極 NPN、PNP 和互補晶體管，包括低 VCE(sat) 晶體管。

數字晶體管(BRT)
集成偏置功能的偏置電阻晶體管（BRT），用于取代單個器件及其外部電阻偏置網絡。

JFET
用于低噪聲放大器和阻抗轉換、模擬開關和斬波器應用的N溝道、P溝道和NPN極性JFET。

小信號開關二極管
高速、小信號開關二極管產品陣容，適用于不同應用的一般用途。

齊納二極管
專為穩壓電路設計，提供廣泛的工作電壓和額定功率。

RF晶體管
專為高頻和通用放大器應用而設計的射頻晶體管。

RF二極管
用于高頻應用的射頻二極管組合，包括PIN二極管、肖特基勢壘二極管和可變電容。

毫米波集成電路（雷達)
單片微波集成電路（MMIC）射頻放大器和混頻器，提供平穩和高增益特性。

IGBT
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在高性能電源轉換應用中提供最高可靠性。