鋁膜紙膜電容器

美國大D CORNELL DUBILIER鋁膜紙膜電容器范圍從標準交流電機運行類型到定制直流脈沖應用。僅使用業界最高等級的薄膜電介質以確保最佳性能。我們是為數不多的用于高性能電源轉換和電源應用的紙和薄膜組合電介質的少數制造商之一。

產品詳情

電源薄膜，交流應用

從標準電機運行值到大電流三相交流輸出濾波器，CDE在交流電容器設計和制造方面擁有廣泛的能力。我們的許多交流額定系列都通過了UL810認證，可用于電機、HVAC、HID照明和大型逆變器中的各種應用的故障打開操作。我們使用最優質的薄膜、浸漬劑和封裝系統，以實現長壽命和無電暈操作。包括功率因數校正和諧波濾波電容器，高壓電容器，微波爐電容器，電機運行和交流電源電容器，HID和鎮流器照明電容器，諧振電容器。

電源薄膜，直流應用
我們為用作濾波器、直流鏈路、緩沖器、除顫器和脈沖電源應用的標準和定制薄膜電容器提供廣泛的功能。最高等級的金屬化薄膜用于確保最佳性能。如果標準不適用，您可以指望我們的工程專家為任何定制薄膜電容器設計提供幫助。包括直流鏈路電容器，除顫器電容器，緩沖電容器，可控硅整流電容器，直流濾波電容器。

軸向薄膜紙膜電容器

類型	描述	溫度 (°C)	電壓 (Vdc)	電壓 (Vac)	電容 (F)
150	一般用途	-55°C - 125°C	63V - 630V	-	1 nF - 3.3 μF
460M	一般用途	-55°C - 125°C	63V - 1000V	40V - 250V	4.7 nF - 100 μF
461M	一般用途	-55°C - 85°C	63V - 400V	40V - 200V	27 nF - 100 μF
704M	一般用途	-55°C - 105°C	200V - 200V	140V - 140V	1 μF - 20 μF
730P	一般用途	-55°C - 85°C	100V - 630V	-	0.02 pF - 10 pF
760M	一般用途	-55°C - 105°C	160V - 630V	100V - 250V	10 nF - 60 μF
761M	一般用途	-55°C - 85°C	160V - 630V	100V - 250V	12 nF - 65 μF
930	低損耗	-55°C - 105°C	100V - 630V	70V - 250V	22 nF - 10 μF
932	低損耗	-55°C - 105°C	250V - 700V	160V - 400V	680 nF - 30 μF
935	高紋波電流	-55°C - 105°C	100V - 400V	70V - 250V	1 μF - 30 μF

徑向薄膜紙膜電容器

類型	描述	電容 (F)	溫度 (°C)
160	通用/小盒子	2.2 nF - 10 μF	-55°C - 125°C
168	通用/小盒子	1 nF - 1 μF	-55°C - 125°C
171	通用/小盒子	2.2 nF - 3.3 μF	-55°C - 105°C
185	通用/小盒子	1 nF - 1 μF	-55°C - 125°C
225P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 1 μF	55°C - 125°C
418P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 1 μF	55°C - 125°C
425M	通用/浸漬/橙滴	30 nF - 12 μF	-55°C - 85°C
715P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 470 nF	-55°C - 105°C
715P/717P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	470 pF - 15 nF	-55°C - 85°C
716P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 1 μF	-55°C - 105°C

貼片機薄膜紙膜電容器

類型	描述	溫度 (°C)	電壓 (Vdc)	電容 (F)
CB		-55°C - 125°C	100V - 500V	470 nF - 10 μF
CS	疊片，多針	-55°C - 125°C	50V - 500V	330 nF - 20 μF
FCA	SMT 薄膜，亞克力	-40°C - 85°C	10V - 16V	100 nF - 1 μF
FCN	SMT薄膜，筆	-55°C - 105°C	100V - 400V	1 nF - 1 μF
FCP	SMT薄膜、PPS	-55°C - 125°C	16V - 50V	100 pF - 220 nF

貼片機薄膜紙膜電容器

類型	描述	電容 (F)	溫度 (°C)
158X	X2 EMI抑制/小盒子	10 nF - 2.2 μF	-40°C - 100°C
MKP	EMI/RFI 抑制	4.7 nF - 10 μF	-40°C - 110°C
MPX	X2 級 85/85	10 nF - 45 μF	-40°C - 110°C
Q/QRL	電弧抑制/RC/浸漬	100 nF - 1 μF	-55°C - 85°C