艾賽斯IXYS反向傳導IGBT（BiMOSFET）

BiMOSFET.這類器件將MOSFET與IGBT的優勢相結合，擁有Vce(sat)和Vf的正溫度系數，并具有低導通損耗，因此是 高頻、高功率密度應用的理想解決方案。

艾賽斯IXYS非穿通型（NPT）IGBT

NPT IGBT擁有方形RBSOA和10us的短路耐受能力。這些產品擁有Vce(sat)的正溫度系數，是并聯的理想選擇。 它們是電機驅動應用中的首選。

艾賽斯IXYS穿通型（PT）IGBT

穿通型（PT）IGBT具有高增益、極快速開關速度和低導通損耗等優點。這些產品針對 UPS、離線式開關電源和電磁爐等高達100kHz的高速應用進行了優化。

艾賽斯SMPD封裝

SMPD封裝IGBT。表面安裝式功率器件（SMPD）封裝是一種創新的解決方案，可以為多種電力電子應用提供大量優化設計的機會。

艾賽斯IXYS超輕穿通型（XPT?）IGBT

Xtreme light Punch Through（XPT?）是業界領先的IGBT技術，可通過多種電壓范圍的產品組合支持低、中和高開關頻率。

艾賽斯IXYS高功率IGBT

壓力接觸IGBT。我們提供市面上范圍最廣泛的壓力接觸IGBT。 我們高度可靠的產品的額定電壓為1.7kV至6.5kV，額定電流為115A至3kA。