意法碳化硅（SiC）MOSFET

意法半導體的碳化硅MOSFET具有650 V至1700 V的擴展電壓范圍，是最先進的技術平臺之一，具有出眾的開關性能和極低的單位面積導通電阻。我們的STPOWER SiC MOSFET的主要特點包括：汽車級（AG）合格器件；超高溫處理能力（max.TJ = 200 °C）；超高開關工作頻率和極低開關損耗；低導通狀態電阻；柵極驅動可兼容現有IC；穩定的超快速本體二極管。

意法碳化硅（SiC）二極管

ST 的碳化硅二極管產品系列電壓范圍從600到1200 V，包括單、雙二極管。 它們有多種封裝，從DPAK到TO-247以及絕緣的TO-220AB/AC，為設計者們提供了極大的靈活性，具有高效、穩定和快速投放市場等優勢。 相比于硅，碳化硅有優越的物理屬性，SiC肖特基整流器具有好于4倍的動態特性和降低15%的前向電壓（VF）。