意法IGBT

意法半導體提供齊全的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產品組合，電壓范圍300 V至1700 V，采用平面穿通（PT）和溝槽式場截止（TFS）技術。IGBT屬于STPOWER系列。意法半導體的IGBT在開關性能和通路狀態行為（變體）之間實現了最佳均衡，適用于工業和汽車領域的應用，如通用逆變器、電機控制、家用電器、HVAC、UPS/SMPS、焊接設備、感應加熱、太陽能逆變器、牽引逆變器、車載充電器 & 快速充電器。 我們的IGBT可以裸露晶片和封裝為分立元件等形式提供。

意法功率MOSFET

意法半導體的功率MOSFET產品采用先進的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-100到1700 V）、低柵極電荷和低導通電阻。意法半導體面向高壓功率MOSFET（MDmesh?）和低壓功率MOSFET（STripFET）的制程確保增強了功率處理能力，從而實現了高效解決方案。功率MOSFET屬于STPOWER系列。

12V-30V低壓MOSFET:了解我們的STripFET低壓功率MOSFET—采用先進的封裝，具有低柵極電荷和低導通電阻。30V-350V N-通道MOSFET:了解我們的中等電壓STripFET N-溝道功率MOSFET 產品組，提供多種小型和大功率封裝選項。350V-700V超結MOSFET:了解我們的MDmesh? N-溝道超結MOSFET，采用標準和快速恢復二極管。700V-1700V高壓和超高壓MOSFET:了解我們的MDmesh?高壓和超高壓功率MOSFET，提高了功率處理能力，支持高效率解決方案。P溝道MOSFET:了解我們的STripFET P-溝道MOSFET，采用超小型封裝，最近又添加了新型溝槽柵器件。

意法功率雙極器件

意法半導體廣泛的功率雙極結型晶體管（BJT）是您節能型設計的完美選擇。該系列產品包含達靈頓晶體管和VCES為15V~1700V的BJT。功率雙極屬于STPOWER系列。

意法半導體雙極NPN / PNP晶體管的關鍵特性：快速開關時間和極低的飽和電壓，降低了開關和導通損耗；集成式二極管，減少了元件數量；hFE參數控制完美，從而提高了可靠性；最佳性價比。

意法寬帶隙晶體管

邁向更節能世界的下一個關鍵步驟是使用新材料，如寬帶隙半導體（WBG），新材料可以提高電源效率、減小產品尺寸和重量、降低系統成本，或同時實現所有這些優點。意法半導體提供最廣泛的碳化硅（MOSFET）產品和技術組合，以及氮化鎵基（增強型HEMT）器件，涵蓋裸片、分立器件，以及屬于STPOWER系列的模塊。

GaN廣泛應用于各種各樣的現代諧振拓撲中，幫助設計人員獲得比現有技術高很多的效率。憑借其優異的性能，GaN HeMT（高電子遷移率晶體管）將廣泛應用于電動汽車，以及電壓范圍在100 V、650 V和 900 V 之間的工業、電信和特定消費應用。