羅姆功率晶體管

羅姆的功率MOSFET和雙極晶體管。額定電壓為600～800V的功率MOSFET通過采用超級結技術，實現了高速開關和低導通電阻的性能，可以降低應用的損失。PC、服務器、充電器、照明等電源應用的PFC電路適合使用低噪聲規格或高速開關規格的產品。羅姆的雙極晶體管推出了小信號、薄型、功率封裝等豐富多彩的封裝。能通過低VCE(sat)實現低損耗，推出了適合SiC、IGBT、MOSFET的柵極驅動電路使用的集電極電流較大的功率雙極。

車載MOSFET：羅姆的車載MOSFET提供可用于各種應用的可高速開關的低導通電阻產品。而且封裝產品陣容豐富，可以適應小型化、大電流化的趨勢，靈活滿足客戶的要求。還將通過開發新工藝結構，進一步降低導通電阻、提高開關速度。雙極晶體管：ROHM的晶體管有小信號、薄型、大功率等類型、采用多種封裝形式、可以滿足時代的需要。數字晶體管：羅姆開發的數字晶體管是在數字電路設計領域中經常使用的內置電阻型晶體管.羅姆擁有對應市場要求的超小型表面安裝封裝以及省空間。豐富電阻值的多種多樣的產品線。

羅姆功率二極管

從超低IR到超低VF，產品陣容豐富的肖特基勢壘二極管、提供適用于各種應用的VF-trr折中的快速恢復二極管在內，羅姆的功率二極管要憑借無與倫比的生產能力，滿足市場的要求。包括肖特基二極管；快速恢復二極管；整流二極管；TVS二極管；齊鈉二極管。

羅姆SiC碳化硅功率器件

與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。  SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環保型產品和系統。羅姆在SiC功率元器件和模塊的開發領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。包括SiC (碳化硅) 肖特基二極管；SiC (碳化硅) MOSFET；SiC (碳化硅) 功率模塊；SiC (碳化硅) 肖特基勢壘二極管Bare Die；SiC (碳化硅) MOSFET Bare Die。

羅姆GaN功率器件

氮化鎵GaN是一種用于下一代功率器件的化合物半導體材料。由于其優于硅器件的性能，如卓越的高頻特性，它開始被采用。由于其比硅器件具有更高的開關特性和更低的導通電阻，GaN器件有望有助于降低功耗和各種電源的小型化以及外圍組件的小型化。Rohm成功地將柵極耐受電壓（額定柵極源電壓）提高到業界領先的8V，使其非常適合用于基站和數據中心等工業設備的電源電路以及物聯網通信設備。

羅姆IGBT

ROHM的IGBT絕緣柵雙極晶體管產品為高電壓、大電流廣泛應用的高效化和節能化做出了貢獻。場截止溝槽型IGBT：利用ROHM的溝槽柵、薄晶圓技術實現了低VCE(sat）、低開關損耗的IGBT產品。Ignition IGBT：是兼具低Vce(sat)、高雪崩耐性，適用于車載點火用途的高可靠性IGBT產品。IGBT Bare Die：GBT/FRD產品有助于眾多高電壓、大電流應用實現高效率化和節能化。

羅姆智能功率模塊

ROHM的IPM（Intelligent Power Module）是將適合IGBT器件的驅動電路、保護功能一體化封裝的產品。為設備的高效化、設計簡略化做出了貢獻。MOS-IPM：ROHM的MOS-IPM是使用自產的PrestoMOS的高效率IPM產品。與IGBT產品相比，可大幅度降低空調穩定運轉時的損耗。

IPM損耗模擬器：損耗模擬器是專門用于ROHM IGBT IPM的功率損耗估計軟件。損耗模擬器可根據客戶應用程序任務概要準確估計功率損耗、結溫和外殼溫度，從而縮短解決方案設計，節省時間和資源。IGBT-IPM：ROHM的IGBT-IPM可根據應用的開關頻率提供優良的產品。