氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

美國安世半導體Nexperia氮化鎵場效應晶體管GaN FET，無論是為下一代新能源電動車設計的電機驅動/控制器，還是為5G電信網絡設計的電源，安世半導體的GaN FET將是您解決方案的關鍵。提供高功率性能和高頻開關，我們常態關斷的GaN FET產品的設計和結構，可確保您的設計應用低成本的標準柵極驅動器。

產品詳情

安世氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)應用參數

Type number	Package version	Package name	Product status	Channel type	Nr of transistors	VDS [max] (V)	RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)	RDSon [typ] @ VGS = 10 V (mΩ)	Tj [max] (°C)	ID [max] (A)	ID [max] @ T = 100 °C (A)	IDM [max] (A)	QGD [typ] (nC)	QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)	Ptot [max] (W)	Qr [typ] (nC)	VGSth [typ] (V)	Automotive qualified	Ciss [typ] (pF)	Coss [typ] (pF)	Rth(j-mb) [max] (K/W)
GAN039-650NBB	SOT8000	CCPAK	Development	N	1	650	39	33	175	59	42	237	5	26	300	167	4	N	1500	147	0.5
GAN039-650NBBA	SOT8000	CCPAK	Development	N	1	650	39	33	175	60	42	240	5	30	300	112	4	Y	1500	147	0.5
GAN039-650NTB	SOT8005	CCPAK	Development	N	1	650	39	33	175	60	42	240	15	30	300	150	4	N	1500	147	0.5
GAN039-650NTBA	SOT8005	CCPAK	Development	N	1	650	39	33	175	60	42	240	15	30	300	150	4	Y	1500	147	0.5
GAN041-650WSB	SOT429	TO-247	Production	N	1	650	41	35	175	47.2	33.4	240	5	22	187	150	3.9	N	1500	147	0.8
GAN063-650WSA	SOT429	TO-247	Production	N	1	650	60	50	175	34.5	24.4	150	4	15	143	125	3.9	N	1000	130	1.05