英飛凌晶閘管/二極管盤 Thyristor/Diode Discs

廣泛的產品組合包括環(huán)氧片式標準晶閘管和二極管、高功率晶閘管和陶瓷片式二極管。光觸發(fā)晶閘管（LTT）結構十分緊湊，反應速度極快。因此，如果沒有高功率晶閘管，高壓直流耦合器就無法成為現(xiàn)實，因為兩個電網無法通過交流鏈接實現(xiàn)耦合。子類別有：Diode Discs；Thyristor Discs；Welding Diodes；Accessories。

英飛凌晶閘管/二極管模塊 Thyristor/Diode Modules

英飛凌為客戶提供包括晶閘管和二極管在內的廣泛的功率模塊產品選擇，電壓和電流范圍分別為1200 V至4400 V和61 A至1070 A。得益于針對性設計以及高度可靠的壓力觸點和焊接接縫技術，該模塊系列可以兼顧成本和性能的優(yōu)化需求。模塊化結構下的標準晶閘管和二極管組合，雙極功率半導體的適用范圍極廣，無論是幾瓦級還是吉瓦級皆可勝任。

英飛凌晶閘管軟起動器模塊 Thyristor Soft Starter Modules

英飛凌軟啟動器模塊系列能充分滿足市場對經濟劃算的緊湊型半導體解決方案的需求。憑借其全新設計，Power Start專注于降低復雜性和減少元件數(shù)。它有系列電流等級。通過這一新功能，可以將模塊與旁路接觸器直接集成于典型的設計空間。Power Start具有集成式散熱器，可以方便安裝，無需使用散熱脂。該模塊采用雙面冷卻模式，因此能承受最高過載電流。

英飛凌橋式整流器和交流開關 Bridge Rectifier & AC-Switches

提供采用端接設計的橋式整流模塊，如EasyBRIDGE或eupec? EconoBRIDGE?。可供選擇的配置中包含配有IGBT和可選NTC電阻的全控和半控整流器。該產品系列覆蓋了25 A至180 A電流區(qū)間，提供800 V和1600 V電壓等級。 eupec? IsoPACK?系列具有可調節(jié)負載端，包含全控、半控和不可控整流模塊。三相交流開關使eupec? IsoPACK?的產品區(qū)間更加完整。電流區(qū)間為85 A至205 A，電壓等級為1600 V。

英飛凌CoolSiC? 肖特基二極管

英飛凌碳化硅材料與硅材料的特性差異限制了100V-150V實際硅單極二極管（肖特基二極管）的制造，導通電阻和漏電流相對較高。在碳化硅材料中，肖特基二極管可以達到更高的擊穿電壓。英飛凌碳化硅產品系列覆蓋 600V 和 650V 到 1200V 的肖特基二極管。

英飛凌功率組件

開發(fā)了大量功率組件產品，為客戶量身定制成熟可靠的帶散熱器的功率組件系統(tǒng)。這些功率組件系列覆蓋我們現(xiàn)有的三條Bipolar雙極半導體器件，多達20多種的散熱器冷卻設計，系統(tǒng)阻斷電壓高達 20 kV、最大電流14 kA。憑借 25000 多種組件型號，我們與您攜手，共同實現(xiàn)符合客戶需求的最佳功率組件產品。完美協(xié)調的“Power Stack”組件產品 - Bipolar雙極半導體器件與散熱器一體安裝的功率組件設計。

英飛凌硅二極管Silicon Diodes

英飛凌推出高功率600V/650V二極管產品，填補了SiC二極管和發(fā)射極控制二極管之間的空白，從而進一步擴充了硅功率二極管產品系列。Rapid 1及Rapid 2二極管與CoolMOS?和高速IGBT（絕緣柵雙極晶體管）兼容，例如TRENCHSTOP? 5產品和HighSpeed 3產品。

英飛凌二極管裸模Diode Bare Dies

英飛凌獨特的快速恢復二極管技術，得益于超薄晶片和電場中止技術，以及降低IGBT的導通損耗和軟恢復能力，發(fā)射極控制二極管非常適合消費類和工業(yè)應用。發(fā)射極控制二極管針對英飛凌IGBT技術進行了優(yōu)化，是其理想之選。