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碳化硅二極管

碳化硅二極管

碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。

產品詳情


碳化硅二極管主要用途有哪些

SiC二極管主要用在兩個方面。第一,輸入端PFC電路中,SiC二極管作為升壓和整流二極管應用。第二,輸出端AC-DC電路中,SiC二極管作為高頻整流應用。由于車載OBC和充電樁輸入電壓不同,OBC是220V,充電樁是380V,OBC要求SiC二極管的電壓等級是650V,充電樁要求SiC二極管的電壓等級是1200V。電流從10A到幾十安都有。


碳化硅二極管的優勢是什么


1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性。寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高達3.0eV和3.25eV,相應本征溫度高達800℃以上;即便就是禁帶最窄的3C-SiC,其禁帶寬度也達到2.3eV左右。

2.高擊穿場強提高了耐壓,減小了尺寸。高的電子擊穿場強帶來了半導體功率器件擊穿電壓的提高。同時,由于電子擊穿場強提高,在增加滲雜密度條件下,碳化硅功率器件漂移區的寬帶可以降低,因此可減小功率器件的尺寸。

3.高熱導率提高了功率密度。熱導率指標越高,材料向環境中傳導熱的能力越強,器件的溫升越小,越有利于提高功率器件的功率密度,同時更適合在高溫環境下工作。

4.強的抗輻射能力,更適合在外太空環境中使用。在輻射環境下,碳化硅器件的抗中子輻射能力至少是硅的4倍,因此是制作耐高溫、抗輻射的電力電子功率器件和大功率微波器件的優良材料。


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